[发明专利]微米级单晶薄膜有效
| 申请号： | 201810890775.9 | 申请日： | 2018-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN108707970B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 张秀全;朱厚彬;胡文;罗具廷;胡卉;李洋洋 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/06 | 分类号： | C30B33/06;B32B33/00;B32B9/00;B32B9/04 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王慧敏;韩芳 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新区港兴*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种微米级单晶薄膜。所述微米级单晶薄膜包括：衬底层；以及微米单晶薄膜层，位于衬底层上，其中，在衬底层与微米单晶薄膜层之间可以包括过渡层，所述过渡层可以包括与衬底层相邻设置的第一过渡层以及与微米单晶薄膜层相邻设置的第二过渡层，其中，过渡层可以包括H以及在对衬底层和微米单晶薄膜层进行等离子体键合时使用的至少一种等离子体气体的元素。 | ||
| 搜索关键词： | 微米 级单晶 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种微米级单晶薄膜，所述微米级单晶薄膜包括：衬底层；以及微米单晶薄膜层，位于衬底层上，其中，在衬底层与微米单晶薄膜层之间包括过渡层，所述过渡层包括与衬底层相邻设置的第一过渡层以及与微米单晶薄膜层相邻设置的第二过渡层，其中，过渡层包括H以及在对衬底层和微米单晶薄膜层进行等离子体键合时使用的至少一种等离子体气体的元素。
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