[发明专利]3D存储器件及其制造方法

摘要

本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括：第一阵列结构，包括半导体衬底、位于半导体衬底上方的第一栅叠层结构、以及贯穿第一栅叠层结构的多个第一沟道柱；第二阵列结构，堆叠在第一阵列结构上方，包括位于第一栅叠层结构上方的第二栅叠层结构、位于第二栅叠层结构上方的半导体层、以及贯穿第二栅叠层结构的多个第二沟道柱；以及互连结构，位于第一阵列结构和第二阵列结构之间，其中，互连结构包括多条位线，多个第一沟道柱分别与多个第二沟道柱中的相应一个共同连接至多条位线中的相应一条位线。该3D存储器件中的位线兼作为不同层面的阵列结构之间的互连，从而可以减小3D存储器件的尺寸以及提高产品良率。

主权项

1.一种3D存储器件，包括:第一阵列结构，所述第一阵列结构包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上方的第一栅叠层结构、以及贯穿所述第一栅叠层结构的多个第一沟道柱；第二阵列结构，堆叠在所述第一阵列结构上方，所述第二阵列结构包括位于所述第一栅叠层结构上方的第二栅叠层结构、位于所述第二栅叠层结构上方的半导体层、以及贯穿所述第二栅叠层结构的多个第二沟道柱；以及互连结构，位于所述第一阵列结构和所述第二阵列结构之间，其中，所述互连结构包括多条位线，所述多个第一沟道柱分别与所述多个第二沟道柱中的相应一个共同连接至所述多条位线中的相应一条位线。