[发明专利]一种新型高宽比大于三的半导体光刻用抗刻蚀树脂组合物及其应用有效
| 申请号： | 201810892261.7 | 申请日： | 2018-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN109270790B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 邓海;张妍 | 申请（专利权）人： | 珠海雅天科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;G03F7/16 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 俞梁清 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市横琴新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型高宽比大于三的半导体光刻用抗刻蚀树脂组合物及其应用，所述树脂组合物制得的光刻胶线条高宽比大于3，所述树脂组合物包括至少一种含有苯乙烯、苯乙烯的衍生物、含有脂环烷烃的丙烯酸酯类化合物和/或含有内酯结构的丙烯酸酯类化合物结构单元的树脂。本发明还包括上述新型高宽比大于三的半导体光刻用抗刻蚀树脂组合物在光刻领域的应用。与现有技术相比，本发明方案的新型高宽比大于三的半导体光刻用抗刻蚀树脂组合物具有制备工艺简单、制造成本低廉且应用前景广等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 大于 半导体 光刻 刻蚀 树脂 组合 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种新型高宽比大于三的半导体光刻用抗刻蚀树脂组合物，其特征在于：所述树脂组合物制得的光刻胶线条高宽比大于3。
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