[发明专利]一种毫米波收发组件高温多梯度高焊透率烧结方法有效
| 申请号： | 201810892733.9 | 申请日： | 2018-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN109037087B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 余定展;郑斌;孙健;杨晓媛 | 申请（专利权）人： | 航天恒星科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603 |
| 代理公司： | 北京善任知识产权代理有限公司 11650 | 代理人： | 王军;陈艳 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种毫米波收发组件高温多梯度高焊透率烧结方法，从影响焊透率的关键因素分析，高温多温度梯度真空烧结工艺技术开展多梯度高焊透率烧结工艺技术研究，在多温度梯度、高焊透率的要求下，设计可操作的烧结工艺方法，能够实现产品的良好的微波接地能力和散热能力，设计方案适用于毫米波收发组件，特别是多温度梯度的产品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 毫米波 收发 组件 高温 梯度 高焊透率 烧结 方法 | ||
【主权项】：
1.一种毫米波收发组件高温多梯度高焊透率烧结方法，用于实现毫米波收发组件结构腔体的烧结，其特征在于：基于烧结温度由高至低的梯度顺序，针对毫米波收发组件结构腔体(1)，依次完成一体式烧结绝缘子(2)、金锗烧结陶瓷基片(3)、金锡烧结芯片(4)、锡锑烧结4350B基片(5)和锡银铜烧结载板(6)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
