[发明专利]利用氢化物气相沉积法的氮化镓基板的制造方法有效
| 申请号： | 201810894237.7 | 申请日： | 2018-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN110544619B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 朴在勤;沈宰亨;沈泰宪 | 申请（专利权）人： | 汉阳大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 延美花;臧建明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及利用氢化物气相沉积法的氮化镓基板的制造方法。本发明实施例的氮化镓基板的制造方法的特征在于，包括：向蓝宝石基板上注入氨气的第一表面处理步骤；通过向上述蓝宝石基板上注入上述氨气及氯化氢气体来形成缓冲层的步骤；向上述蓝宝石基板上注入上述氨气的第二表面处理步骤；以及在上述蓝宝石基板上分步降低氨气与氯化氢气体的流量比并使氮化镓生长的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 氢化物 沉积 氮化 镓基板 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基板的制造方法，其特征在于，包括：/n向蓝宝石基板上注入氨气的第一表面处理步骤；/n通过向上述蓝宝石基板上注入上述氨气及氯化氢气体来形成缓冲层的步骤；/n向上述蓝宝石基板上注入上述氨气的第二表面处理步骤；以及/n在上述蓝宝石基板上分步降低氨气与氯化氢气体的流量比并使氮化镓生长的步骤。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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