[发明专利]形成具有经改善的平坦化均匀性的半导体装置与结构的方法及所得的结构与半导体装置在审
| 申请号： | 201810894258.9 | 申请日： | 2014-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN109166964A | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 朱利奥·阿尔比尼 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及形成具有经改善的平坦化均匀性的半导体装置与结构的方法及所得的结构与半导体装置。本发明揭示例如相变存储器装置的半导体装置及结构，其包含耦合到外围区域中的外围导电接触件的外围导电垫。阵列区域可包含耦合到导电线的存储器单元。形成此类半导体装置及结构的方法包含从外围区域移除存储器单元材料且此后从所述阵列区域选择性地移除所述存储器单元材料的部分以界定所述阵列区域中的个别存储器单元。额外方法包含使用外围导电垫及/或所述外围导电垫上方的间隔物材料作为平坦化停止材料而平坦化所述结构。又进一步方法包含部分界定所述阵列区域中的存储器单元，此后形成外围导电接触件，且此后完全界定所述存储器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 存储器单元 阵列区域 平坦化 外围 导电垫 界定 导电接触件 外围区域 均匀性 耦合到 移除 间隔物材料 相变存储器 导电线 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置结构，其包括：外围区域，其包括：外围导电接触件，其耦合到至少一个晶体管；导电垫，其包括导电材料，所述导电垫耦合到相应的外围导电接触件，所述导电垫各自具有比耦合到其的外围导电接触件的上表面积大的上表面积；及外围沟槽，其使所述导电垫分离；及阵列区域，其包括：存储器单元阵列；及导电线，其各自耦合到所述存储器单元阵列的存储器单元，所述导电线包括与所述外围区域中的所述导电垫相同的导电材料。
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