[发明专利]晶片的加工方法

摘要

提供晶片的加工方法，能够在单晶硅晶片中形成适当的盾构隧道，能够通过盾构隧道形成与等离子蚀刻的复合加工将单晶硅晶片分割成各个器件。晶片的加工方法包含：保护部件配设工序，在晶片(2)的正面(2a)上配设保护部件；盾构隧道形成工序，从晶片(2)的背面(2b)对与分割预定线(4)对应的区域照射对于单晶硅具有透过性的波长的激光光线(LB)为连续地形成多个盾构隧道(56)，该盾构隧道(56)由从背面(2b)至正面(2a)的细孔(52)和围绕细孔(52)的非晶质(54)构成；以及分割工序，通过等离子蚀刻对盾构隧道(56)进行蚀刻而将晶片(2)分割成各个器件芯片，将盾构隧道形成工序中所使用的激光光线(LB)的波长设定为1950nm以上。

主权项

1.一种晶片的加工方法，将由交叉的多条分割预定线划分而在单晶硅基板的正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：保护部件配设工序，在晶片的正面上配设保护部件；盾构隧道形成工序，在实施了该保护部件配设工序之后，从晶片的背面对与分割预定线对应的区域照射对于单晶硅具有透过性的波长的激光光线而连续地形成多个盾构隧道，该盾构隧道由从背面至正面的细孔和围绕该细孔的非晶质构成；以及分割工序，在实施了该盾构隧道形成工序之后，通过等离子蚀刻对该盾构隧道进行蚀刻而将晶片分割成各个器件芯片，将该盾构隧道形成工序中所使用的激光光线的波长设定为1950nm以上。