[发明专利]一种利用腐蚀方法及微观检测确定单晶硅晶线的方法

摘要

一种利用腐蚀方法及微观检测确定单晶硅晶线的方法,通过可控的腐蚀过程，利用特定腐蚀液择优腐蚀样片，使得单晶表面出现凹坑，腐蚀出特定的微缺陷形态；然后通过显微镜检测样片，确定单晶样片的特定微观缺陷形态，根据单晶样片的缺陷形态确定和标记对应的宏观晶线位置。有益效果在于：工艺过程简单，用时短，操作过程要求低；单晶硅样片缺陷形态准确度高，确定的晶线误差小；无需其他大型高端设备，实施成本低；单晶硅样片的引用，不会对原单晶硅棒产生破坏，适合大规模生产需求。

主权项

1.一种利用腐蚀方法及微观检测确定单晶硅晶线的方法，其特征在于，包括了以下具体步骤：a.在已滚磨晶棒端头截取一片单晶硅样片，并标记单晶硅样片与晶棒相对应的位置，以及标记单晶硅样片的测试面；b.将单晶硅样片的测试面化学剖光至镜面，在中心部位用金刚砂做喷砂处理，然后使用抛光液轻微的酸洗处理干净表面的砂粒；c.将处理好的单晶硅样片装入花篮中浸入腐蚀液池中，不断摆动花篮，持续腐蚀处理10‑40分钟；d.将腐蚀处理好的单晶硅样片从腐蚀液中取出，利用纯水全方位冲洗10‑15次；e.将冲洗完毕的单晶硅样片放在氮气下通风干燥处理至表面水渍吹干；f.将干燥处理好的单晶硅样片放置在显微镜的物镜台上，调节显微镜使视场显示出单晶硅样片表面的缺陷形态，缺陷形态一般为方向相同的三角形或方向相同的菱形或方向相同的矩形；g.根据单晶硅样片表面的缺陷形态，画出单晶硅样片的宏观晶线；h.将画好晶线的单晶硅样片对应到相应的单晶硅棒上，画出相应单晶硅棒的宏观晶线。