[发明专利]基于温度梯度法的稀土倍半氧化物晶体的生长装置及方法有效
| 申请号： | 201810902235.8 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN109082707B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 赵衡煜;徐军;侯文涛;施佼佼;罗平;王庆国 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B11/02 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 蒋亮珠 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于温度梯度法的稀土倍半氧化物晶体的生长装置，包括石英筒(1)、感应加热线圈(2)、氧化锆上保温层(3)、氧化锆保温筒(4)、氧化锆保温层(5)、籽晶保护层(6)和坩埚(7)，所述的感应加热线圈(2)缠绕在石英筒(1)外侧壁上，所述的氧化锆上保温层(3)设置在氧化锆保温筒(4)上方，并与其一起置于石英筒(1)内，所述的坩埚(7)置于氧化锆保温筒(4)内，并在坩埚(7)与氧化锆保温筒(4)之间设置氧化锆保温层(5)，氧化锆保温层(5)底部设置氧化锆底座(10)。与现有技术相比，本发明可用于生长英寸级的倍半氧化物晶体，并具有延长坩埚使用寿命，降低长晶成本等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 温度梯度 稀土 氧化物 晶体 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于温度梯度法的稀土倍半氧化物晶体的生长装置，其特征在于，包括石英筒(1)、感应加热线圈(2)、氧化锆上保温层(3)、氧化锆保温筒(4)、氧化锆保温层(5)、籽晶保护层(6)和坩埚(7)，所述的感应加热线圈(2)缠绕在石英筒(1)外侧壁上，所述的氧化锆上保温层(3)设置在氧化锆保温筒(4)上方，并与其一起置于石英筒(1)内，所述的坩埚(7)置于氧化锆保温筒(4)内，并在坩埚(7)与氧化锆保温筒(4)之间设置氧化锆保温层(5)，坩埚(7)的籽晶部位与氧化锆保温筒(4)之间设置氧化锆材质的籽晶保护层(6)，氧化锆保温层(5)底部设置氧化锆底座(10)。
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