[发明专利]一种Cu2有效

专利信息
申请号: 201810903289.6 申请日: 2018-08-09
公开(公告)号: CN108977848B 公开(公告)日: 2020-04-24
发明(设计)人: 马艺;张婉;尹志广;王子豪;王奕岚;王增林 申请(专利权)人: 陕西师范大学
主分类号: C25B11/06 分类号: C25B11/06;C25D9/08;C25B1/04;C23C14/18;C23C14/08;C23C14/02;C23C28/00
代理公司: 西安永生专利代理有限责任公司 61201 代理人: 高雪霞
地址: 710062 *** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种Cu2O基多层光电阴极薄膜材料的制备方法,通过电化学沉积Cu2O后的FTO导电玻璃上先磁控溅射沉积一层金属或金属的氧化物纳米层,然后用含S2‑的水溶液浸渍并退火,或先将沉积Cu2O后的FTO导电玻璃用含S2‑的水溶液浸渍并退火,再磁控溅射沉积一层金属或金属的氧化物纳米层,最终得到Cu2O基多层光电阴极薄膜材料。本发明的制备过程简单,原材料价格低廉,降低了生产成本,同时提高了Cu2O的光电催化活性和稳定性,在光电催化分解水领域具有潜在的应用。
搜索关键词: 一种 cu base sub
【主权项】:
1.一种Cu2O基多层光电阴极薄膜材料的制备方法,其特征在于该方法由下述步骤组成:(1)在清洗干净的FTO导电玻璃上离子溅射沉积一层Au纳米层,然后电化学沉积一层Cu2O;(2)在沉积Cu2O后的FTO导电玻璃上先磁控溅射沉积一层金属或金属的氧化物纳米层,然后浸渍于含S2‑的水溶液中,浸渍完后退火,得到Cu2O基多层光电阴极薄膜材料。或先将沉积Cu2O后的FTO导电玻璃浸渍于含S2‑的水溶液中,浸渍完后退火,然后再磁控溅射沉积一层金属或金属的氧化物纳米层,得到Cu2O基多层光电阴极薄膜材料;
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西师范大学,未经陕西师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810903289.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top