[发明专利]无镉量子点及其制备方法有效
| 申请号： | 201810903489.1 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN110819347B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 高静;汪均;谢阳腊;乔培胜;余文华;李光旭;苏叶华 | 申请（专利权）人： | 纳晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y40/00;H01L31/0352;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 310052 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种无镉量子点及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：S1，将含III族元素前体、V族元素前体和第一配体的第一原料混合反应，得到III‑V族半导体纳米团簇；S2，将含II族元素前体、VI族元素前体和第二配体的第二原料混合反应，得到II‑VI族半导体纳米团簇；S3，将III‑V族半导体纳米团簇与II‑VI族半导体纳米团簇混合反应，得到III‑V‑II‑VI族量子点。上述方法通过将两种不稳定态的团簇的反应形成形貌均一的无镉量子点，通过实验证明该无镉量子点不仅能够具有较窄的半峰宽，还能够具有较高的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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