[发明专利]体晶体管和SOI晶体管的共同集成

摘要

本公开的实施例涉及体晶体管和SOI晶体管的共同集成。一种电子集成电路芯片包括布置在固态衬底的内部和顶部上的第一晶体管、布置在绝缘体上的具有第一厚度的半导体材料层的内部和顶部上的第二晶体管以及布置在绝缘体上的具有第二厚度的半导体材料层的内部和顶部上的第三晶体管。第二厚度比第一厚度大。固态衬底在半导体材料层的下方延伸，并且通过绝缘体与那些层绝缘。

主权项

1.一种电子集成电路芯片，包括：绝缘体上半导体(SOI)衬底，包括在支撑半导体衬底之上的绝缘层；第一晶体管，布置在从所述支撑半导体衬底外延的外延半导体延伸的内部和顶部上；第二晶体管，布置在所述绝缘层上的第一半导体材料层的内部和顶部上，所述第一半导体材料层具有第一厚度；以及第三晶体管，布置在所述绝缘层上的第二半导体材料层的内部和顶部上，所述第二半导体材料层具有第二厚度，其中所述第二厚度比所述第一厚度大。