[发明专利]静电放电自保护电路和自保护方法在审
| 申请号： | 201810905467.9 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN108847836A | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 周阿铖;曾正球 | 申请（专利权）人： | 深圳南云微电子有限公司;广州金升阳科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/081 | 分类号： | H03K17/081;H03K17/687 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518110 广东省深圳市龙岗区龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种静电放电自保护电路，包括集成功率管单元，集成功率管单元包括功率管NM1，功率管NM1为N沟道MOS管，由若干个单位MOS管并联构成，功率管NM1的漏极引出作为集成功率管单元的漏极引脚，功率管NM1的源极引出作为集成功率管单元的接地引脚GND，还包括辅助触发电路，所述辅助触发电路，连接在功率管NM1的漏极与栅极之间，当功率管的漏极引脚发生ESD事件时，辅助触发电路比功率管NM1先导通，以产生导通电流来建立功率管NM1的栅源电压，使功率管NM1的栅源电压达到MOS管的阈值电压，以使构成功率管NM1的若干个单位MOS管均可导通；所述功率管NM1，用以通过复用功率管NM1本身的导通通路来对ESD事件所产生的静电电流进行泄放。 | ||
| 搜索关键词： | 功率管 管单元 漏极 辅助触发电路 成功率 自保护电路 静电放电 栅源电压 引脚 导通电流 接地引脚 静电电流 阈值电压 比功率 自保护 并联 导通 复用 泄放 源极 先导 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电自保护电路，包括集成功率管单元，集成功率管单元包括功率管NM1，功率管NM1为N沟道MOS管，由若干个单位MOS管并联构成，功率管NM1的漏极引出作为集成功率管单元的漏极引脚，功率管NM1的源极引出作为集成功率管单元的接地引脚GND，其特征在于：还包括辅助触发电路，所述辅助触发电路，连接在功率管NM1的漏极与栅极之间，当功率管的漏极引脚发生ESD事件时，辅助触发电路比功率管NM1先导通，以产生导通电流来建立功率管NM1的栅源电压，使功率管NM1的栅源电压达到MOS管的阈值电压，以使构成功率管NM1的若干个单位MOS管均可导通；所述功率管NM1，提供功率管NM1本身的导通通路来对ESD事件所产生的静电电流进行泄放。
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