[发明专利]分布反馈半导体激光器芯片测试过程中降低温升影响方法在审
| 申请号： | 201810905896.6 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN109375088A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 邱德明;张振峰;杨国良 | 申请（专利权）人： | 武汉盛为芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;H01S5/00 |
| 代理公司： | 武汉维创品智专利代理事务所(特殊普通合伙) 42239 | 代理人： | 余丽霞 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开分布反馈半导体激光器芯片测试过程中降低温升影响方法，包括以下步骤：连续施加脉冲电流Ii；脉冲电流0＜Ii≤100mA；施加脉冲电流Ii的时间间隔5‑20μs，脉冲电流Ii占空比为50％；施加脉冲电流时，采集分布反馈半导体激光器芯片在各个脉冲电流Ii的光功率，记录每个脉冲电流Ii下的光功率P；根据光功率P记录分布反馈半导体激光器芯片的发光电流阈值Ith；将脉冲电流Ii时间间隔设置为5‑20μs，选择测量误差最小作为脉冲电流Ii的时间间隔标准值，用于每次测试所施加脉冲电流Ii时间间隔。本发明在持续脉冲供电过程中，通过在分布反馈半导体激光器芯片施加低电平的间隙使得分布反馈半导体激光器芯片散热，有效降低了温度升高给测试结果带来的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 脉冲电流 分布反馈半导体激光器 光功率 施加 芯片测试过程 温升 芯片 持续脉冲 发光电流 供电过程 芯片散热 芯片施加 选择测量 低电平 占空比 记录 采集 测试 | ||
【主权项】：
1.分布反馈半导体激光器芯片测试过程中降低温升影响方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)向分布反馈半导体激光器芯片连续施加脉冲电流Ii；(2)施加脉冲电流0＜Ii≤100mA；(3)施加脉冲电流Ii的时间间隔是5‑20μs，脉冲电流Ii的占空比为50％；(4)每次施加脉冲电流时，采集分布反馈半导体激光器芯片在各个脉冲电流Ii的光功率，记录每个脉冲电流Ii下的光功率P；(5)根据光功率P记录分布反馈半导体激光器芯片的发光电流的阈值Ith；(6)将脉冲电流Ii的时间间隔设置为5‑20μs，将该范围内的时间间隔测试的发光电流的阈值Ith与标准发光电流的阈值相比较，选择测量误差最小作为脉冲电流Ii的时间间隔标准值，用于每次的分布反馈半导体激光器芯片测试施加脉冲电流Ii时间间隔。
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