[发明专利]一种硅片的清洗方法及硅片在审
| 申请号： | 201810907047.4 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN110828290A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 谢俊华 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及微电子技术领域，公开了一种硅片的清洗方法，首先，制备酸性清洗剂；接着，将硅片放入酸性清洗剂中浸泡；最后，从酸性清洗剂中取出硅片，将硅片放入去离子水中进行清洗，以完成硅片的清洗。由于该硅片的清洗方法采用酸性清洗剂对硅片进行酸洗，因此易于将硅片上的金属等各种杂质和表面污迹清洗掉，并且确保了不会划伤硅片，从而提高了硅片的使用寿命。此外，由于该硅片的清洗方法易于采用自动化生产作业实现，因此有利于节省硅片的清洗时间和降低硅片的清洗成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
