[发明专利]三维结构的半导体存储器装置在审
| 申请号： | 201810907399.X | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN110098193A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 吴星来;金东赫;丁寿男 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 三维结构的半导体存储器装置。一种半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列设置在基板上；多条位线，所述多条位线设置在所述存储器单元阵列上，每条位线沿着与所述基板的顶表面平行的第一方向延伸并且被划分成第一位线段和第二位线段；以及多个源极线焊盘，所述多个源极线焊盘在所述位线的所述第一位线段和所述位线的所述第二位线段之间与所述位线设置在同一层。 | ||
| 搜索关键词： | 位线 线段 半导体存储器装置 存储器单元阵列 三维结构 源极线 焊盘 基板 方向延伸 顶表面 同一层 平行 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列设置在基板上；多条位线，所述多条位线设置在所述存储器单元阵列上，每条位线沿着与所述基板的顶表面平行的第一方向延伸并且被划分成第一位线段和第二位线段；以及多个源极线焊盘，所述多个源极线焊盘在所述位线的所述第一位线段和所述位线的所述第二位线段之间与所述位线设置在同一层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
