[发明专利]半导体存储装置有效
申请号: | 201810907525.1 | 申请日: | 2018-08-10 |
公开(公告)号: | CN110459255B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 清水佑树;镰田义彦;小林司;片冈秀之;加藤光司;藤本巧;铃木良尚;清水有威 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/30 | 分类号: | G11C16/30;G11C5/14 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘英华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 实施方式提供能够降低非同步地动作的面间的噪声的半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置具备:第一存储元件;第二存储元件;能够经由第一源极线与上述第一存储元件的第一端电连接的第一晶体管;能够经由不同于上述第一源极线的第二源极线与上述第二存储元件的第一端电连接的第二晶体管;被从外部供给基准电压的焊盘;将上述第一晶体管与上述焊盘之间电连接的第一布线;及将上述第二晶体管与上述焊盘间电连接的不同于上述第一布线的第二布线。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,具备:/n第一存储元件及第二存储元件;/n第一晶体管,能够经由第一源极线而与上述第一存储元件的第一端电连接;/n第二晶体管,能够经由不同于上述第一源极线的第二源极线而与上述第二存储元件的第一端电连接;/n焊盘,被从外部供给基准电压;/n第一布线,将上述第一晶体管与上述焊盘之间电连接;以及/n第二布线,将上述第二晶体管与上述焊盘之间电连接,且不同于上述第一布线。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铠侠股份有限公司,未经铠侠股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810907525.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:自旋电子器件和存内逻辑计算器件
- 下一篇:动态P2L异步功率损耗降低