[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本公开披露了一种半导体装置及其制造方法。用于形成导孔先制金属栅极接触件的方法和结构包含在具有栅极结构的基底上沉积第一介电层，栅极结构具有金属栅极层。在第一介电层内形成开口，以露出基底的一部分，以及在开口内沉积第一金属层。在第一介电层上及在第一金属层上沉积第二介电层。将第一介电层和第二介电层蚀刻，以形成栅极导孔的开口，其露出金属栅极层。将第二介电层的一部分移除，以形成接触件开口，其露出第一金属层。栅极导孔的开口和接触件开口合并形成复合开口，在复合开口内沉积第二金属层，因此将金属栅极层连接至第一金属层。

主权项

1.半导体装置的制造方法，包括：在一基底之上沉积一第一介电层，其中该基底包含一栅极结构具有一金属栅极层；在该第一介电层中形成一开口，以露出相邻于该栅极结构的该基底的一部分，并且在该开口内沉积一第一金属层；在该第一介电层之上和该第一金属层之上沉积一第二介电层；蚀刻该第一介电层和该第二介电层，以形成一栅极导孔的开口，其中该栅极导孔的开口露出该栅极结构的该金属栅极层；移除该第二介电层的一部分，以形成一接触件开口，该接触件开口露出该第一金属层，其中该栅极导孔的开口和该接触件开口合并以形成一复合开口；以及在该复合开口内沉积一第二金属层，其中该第二金属层经由该第二金属层的一栅极导孔部分，电性连接该栅极结构的该金属栅极层至该第一金属层。