[发明专利]非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的操作方法有效
| 申请号： | 201810908939.6 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN109390017B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 表锡洙;郑铉泽;宋泰中 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/24 | 分类号： | G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请提供了非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的操作方法。所述非易失性存储器装置包括：存储器单元，其包括存储器单元和伪单元；行解码器，其通过字线连接至存储器单元；伪字线偏置电路，其通过伪字线连接至伪单元；写驱动器和读出放大器，其通过位线连接至存储器单元；以及伪位线偏置电路，其通过伪位线连接至伪单元。伪字线偏置电路被构造为将相同或不同的电压施加至对应的各条伪字线，以将选择的伪单元关断，和调整流动通过伪单元的漏电流；并且通过对伪单元中的漏电流的调整而使存储器单元中的漏电流保持在基本均匀的电平。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 装置 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器装置，包括：存储器单元阵列，其包括形成在主体上的多个存储器单元和伪单元；行解码器，其通过字线连接至所述存储器单元；伪位线偏置电路，其通过伪位线连接至所述伪单元；伪字线偏置电路，其通过多条伪字线连接至所述伪单元；以及写驱动器和读出放大器，其通过位线连接至所述存储器单元。
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