[发明专利]一种屏蔽栅功率MOSFET器件及其制造方法

摘要

本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种屏蔽栅功率MOSFET器件，包括有源区，有源区内包括元胞单元和虚拟元胞单元，虚拟元胞单元在第二导电类型阱区间设有第一类型沟槽，在第一类型沟槽内填充有虚拟屏蔽栅多晶硅、厚氧化层、位于虚拟屏蔽栅多晶硅上部两侧的虚拟栅极多晶硅及虚拟栅氧化层；在第一类型沟槽上依次覆盖有绝缘介质层、源极金属，源极金属通过绝缘介质层内的通孔分别与虚拟屏蔽栅多晶硅、虚拟栅极多晶硅电连接；本发明通过在有源区引入虚拟栅元胞结构，减小了栅极和源极的交叠面积，使得输入电容Ciss和米勒电容Crss降低，进而大幅度降低开关损耗，工艺简单，成本低，市场竞争力更强。

主权项

1.一种屏蔽栅功率MOSFET器件，包括有源区，所述有源区内包括若干个相互并联的元胞单元（01），其特征在于，在所述有源区内还包括若干个与所述元胞单元（01）均匀并列分布的虚拟元胞单元（02），所述虚拟元胞单元（02）包括第一导电类型衬底（1）及位于第一导电类型衬底（1）上的第一导电类型外延层（2），在所述第一导电类型外延层（2）的上部设有第二导电类型阱区（15），在所述第二导电类型阱区（15）间设有第一类型沟槽（3），在所述第一类型沟槽（3）内填充有虚拟屏蔽栅多晶硅（5）、包裹所述虚拟屏蔽栅多晶硅（5）下部的厚氧化层（6）、位于所述虚拟屏蔽栅多晶硅（5）上部两侧的虚拟栅极多晶硅（7）及位于虚拟栅极多晶硅（7）外侧的虚拟栅氧化层（8）；在所述第一类型沟槽（3）上覆盖有绝缘介质层（12），在所述绝缘介质层（12）上覆盖有源极金属（13），所述源极金属（13）通过绝缘介质层（12）内的通孔分别与虚拟屏蔽栅多晶硅（5）、虚拟栅极多晶硅（7）电连接。