[发明专利]放大器芯片电极外设的多腔室封装结构及其制作方法

摘要

本发明揭示了一种放大器芯片电极外设的多腔室封装结构及其制作方法，封装结构包括：封装基板，具有间隔分布的第一、第二、第三腔室；第一滤波器芯片，位于第一腔室且具有第一电极；第二滤波器芯片，位于第二腔室且具有第二电极；放大器芯片，位于第三腔室且具有第三电极；RF开关芯片，设置于封装基板的上方且具有第四电极；第一、第二、第三电极位于同侧，互连结构用于导通第一、第二、第三及第四电极。本发明将多个芯片封装于同一封装基板，实现多芯片的高度集成；滤波器、放大器及RF开关芯片呈上下分布，RF开关芯片并不占用基板空间，可提高基板利用率，简化互连结构；滤波器芯片及放大器芯片内嵌于腔室中，使得封装结构更加轻薄。

主权项

1.一种放大器芯片电极外设的多腔室封装结构，其特征在于，包括:封装基板，具有相对设置的基板上表面及基板下表面，且所述封装基板具有间隔分布的第一腔室、第二腔室及第三腔室；第一滤波器芯片，位于所述第一腔室，所述第一滤波器芯片具有相对设置的第一上表面及第一下表面，所述第一上表面与所述基板上表面位于同侧，且所述第一上表面具有若干第一电极；第二滤波器芯片，位于所述第二腔室，所述第二滤波器芯片具有相对设置的第二上表面及第二下表面，所述第二上表面与所述基板上表面位于同侧，且所述第二上表面具有若干第二电极；放大器芯片，位于所述第三腔室，所述放大器芯片具有相对设置的第三上表面及第三下表面，所述第三上表面与所述基板上表面位于同侧，且所述第三下表面具有若干第三电极；RF开关芯片，设置于所述封装基板的上方，所述RF开关芯片具有相对设置的第四上表面及第四下表面，所述第四下表面与所述基板上表面面对面设置，且所述第四下表面具有若干第四电极；若干互连结构，用于导通若干第一电极、若干第二电极、若干第三电极及若干第四电极。