[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810909416.3 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN109390408A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 闵宣基 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体装置，其包括：第一绝缘夹层，位于衬底上；第二绝缘夹层，位于所述第一绝缘夹层上；栅极结构，在所述衬底上延伸穿过所述第一绝缘夹层及所述第二绝缘夹层，所述栅极结构的下部部分具有第一宽度，且所述栅极结构的上部部分具有第二宽度，所述第二宽度比所述第一宽度大且从底部朝顶部逐渐增大；以及间隔件结构，位于所述栅极结构的侧壁上，所述间隔件结构的上部部分的宽度小于所述间隔件结构的下部部分的宽度。本公开的半导体装置具有良好的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘夹层 栅极结构 半导体装置 间隔件结构 衬底 延伸穿过 逐渐增大 宽度比 侧壁 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一绝缘夹层，位于衬底上；第二绝缘夹层，位于所述第一绝缘夹层上；栅极结构，在所述衬底上延伸穿过所述第一绝缘夹层及所述第二绝缘夹层，所述栅极结构的下部部分具有第一宽度，且所述栅极结构的上部部分具有第二宽度，所述第二宽度比所述第一宽度大且从其底部朝顶部逐渐增大；以及间隔件结构，位于所述栅极结构的侧壁上，所述间隔件结构的上部部分的宽度小于所述间隔件结构的下部部分的宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810909416.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置
- 下一篇：一种阈值可调式高压金属氧化物半导体器件及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
