[发明专利]一种降低合金型电压调整二极管正向压降的扩散方法在审
| 申请号： | 201810909448.3 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN109192658A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 杨俊;古进;石文坤;迟鸿燕;吴王进 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） |
| 主分类号： | H01L21/228 | 分类号： | H01L21/228;H01L21/225 |
| 代理公司： | 贵阳睿腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人： | 谷庆红 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种降低合金型电压调整二极管正向压降的扩散方法，采用N型单晶硅片为衬底材料，使用深结扩散工艺制造欧姆接触，其步骤为：硅片清洗→一次携带源扩散→一次涂源扩散→二次携带源扩散→二次涂源扩散→三次携带源扩散→第四次携带源扩散。采用携带源扩散和涂源扩散交替扩散的方式，大大提升了芯片的表面浓度，降低了合金型电压调整二极管的正向压降，该工艺对于深结台面型半导体器件的制造具有较高的使用推广价值。 | ||
| 搜索关键词： | 源扩散 扩散 二极管 电压调整 正向压降 携带 合金型 涂源 台面型半导体器件 衬底材料 硅片清洗 扩散工艺 欧姆接触 制造 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种降低合金型电压调整二极管正向压降的扩散方法，采用N型单晶硅片为衬底材料，使用深结扩散工艺制造欧姆接触，其步骤为：硅片清洗→一次携带源扩散→一次涂源扩散→二次携带源扩散→二次涂源扩散→三次携带源扩散→第四次携带源扩散。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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