[发明专利]曝光装置、曝光方法、半导体器件及其制造方法在审
申请号: | 201810910079.X | 申请日: | 2018-08-10 |
公开(公告)号: | CN110231756A | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 陈勇辉;张俊 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种曝光装置、曝光方法、半导体器件及其制造方法。该曝光装置包括:进料检测单元、传输单元和曝光单元;进料检测单元用于对基底进行检测,并判定基底为合格基底或待处理基底;传输单元用于将合格基底传输至曝光单元;曝光单元用于对合格基底进行曝光。该技术方案可仅允许检测合格的基底传输至曝光单元进行曝光,减少了对检测不合格的基底传输至曝光单元进行曝光时带来的损耗,从而减少了曝光工艺的成本,同时提高了曝光产率,从而提高了产能。 | ||
搜索关键词: | 基底 曝光单元 曝光 曝光装置 半导体器件 传输单元 进料检测 传输 检测 曝光工艺 产率 产能 判定 制造 | ||
【主权项】:
1.一种曝光装置,其特征在于,包括:进料检测单元、传输单元和曝光单元;所述进料检测单元用于对基底进行检测,并判定所述基底为合格基底或待处理基底;所述传输单元用于将所述合格基底传输至所述曝光单元;所述曝光单元用于对所述合格基底进行曝光。
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