[发明专利]立体垂直通道NAND存储器的串行选择栅极的氧化方法

摘要

一种存储器元件包括一导电条带堆叠结构，包括多个第一阶层中且具有一第一开口的多个导电条带，以及第二阶层中且具有一第二开口的多个导电条带，且两种开口都将导电条带侧壁暴露于外。数据储存结构形成于第一阶层中的导电条带的侧壁上。第一垂直通道结构包括垂直通道膜，设置于第一开口中，并与数据储存结构接触。第二开口对准该第一垂直通道结构。栅极介电层位于第二阶层中的导电条带的侧壁上。第二垂直通道结构包括设置于第二开口中的垂直通道膜，与位于第二阶层中的导电条带的侧壁上的栅极介电层接触。

主权项

1.一种存储器元件包括：一导电条带堆叠结构，包括多个第一阶层中的多个导电条带，且具有一第一开口，该第一开口将这些第一阶层中的这些导电条带的多个侧壁暴露于外；一数据储存结构，位于这些第一阶层中的这些导电条带的这些侧壁上；一第一垂直通道结构，包括一垂直通道膜，垂直地设置，并与位于这些第一阶层中的这些导电条带的这些侧壁上的数据储存结构接触；一第二阶层中的一导电条带，位于这些第一阶层中的这些导电条带上方，该第二阶层中的该导电条带具有一第二开口，对准该第一垂直通道结构，且具有一侧壁。一栅极介电层，位于该第二阶层中的该导电条带的该侧壁上；以及一第二垂直通道结构，包括一垂直通道膜，与位于该第二阶层中的该导电条带的该侧壁上的该栅极介电层接触。