[发明专利]被配置为响应于内部命令存储和输出地址的存储器器件在审
| 申请号： | 201810913085.0 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN109754833A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 申丞浚;黄炯烈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/4093 | 分类号： | G11C11/4093;G11C11/408 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周祺 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种存储器器件，包括第一存储体组、第二存储体组、内部命令生成器和地址输入/输出(I/O)电路。每个存储体组可以包括多个存储体。内部命令生成器生成内部命令，并向第一目标存储体输出内部命令。所述内部命令是基于来自存储器控制器的用于控制第一目标存储体的存储器操作的命令而生成的。地址输入/输出(I/O)电路，接收与所述命令对应的第一地址，基于在与第一命令对应的数据突发操作间隔中是否存在气泡间隔来选择第一地址的存储路径，根据每个内部命令被输出的时间点来控制第一地址的输出。第一地址存储在地址I/O电路中。 | ||
| 搜索关键词： | 输出 存储体组 存储器器件 地址输入 目标存储 生成器 电路 存储器控制器 存储器操作 操作间隔 存储路径 地址存储 输出地址 数据突发 存储体 时间点 存储 响应 配置 | ||
【主权项】：
1.一种存储器器件，包括：第一存储体组；第二存储体组，所述第一存储体组和所述第二存储体组中的每一个包括多个存储体；内部命令生成器，基于来自存储器控制器的第一命令生成第一内部命令和第二内部命令，所述第一命令控制所述第一存储体组中的第一目标存储体的存储器操作，所述内部命令生成器向所述第一目标存储体输出所述第一内部命令和所述第二内部命令；以及地址输入/输出I/O电路，接收与所述第一命令对应的第一地址，基于在与所述第一命令对应的数据突发操作间隔中是否存在气泡间隔来选择所述第一地址的存储路径，根据所述第一内部命令和所述第二内部命令中的每一个被输出的时间点来控制所述第一地址的输出，并且将所述第一地址存储在所述地址I/O电路中。
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