[发明专利]基于复合衬底的半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810913224.X | 申请日： | 2018-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110828292A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 任泽阳;张雅超;张进成;张金风;许晟瑞;苏凯;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/373 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 郝梦玲 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于复合衬底的半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：选取Si衬底层；在所述Si衬底层下表面生长金刚石层；在所述Si衬底层上表面生长AlN成核层；在所述AlN成核层上表面生长GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上表面生长AlGaN势垒层。本发明将具有高质量的Si衬底层与具有高热导率的金刚石层相结合，形成Si/金刚石复合衬底结构，利用金刚石层的高热导率的优点，解决了单纯在Si衬底层上生长大功率氮化物半导体材料存在的散热差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 复合 衬底 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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