[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201810913755.9 | 申请日： | 2018-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110828566B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 林志鸿;李家豪 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包含：一衬底；一第一氧化层，设置于衬底上；一第二氧化层，设置于第一氧化层的一侧且与第一氧化层接触，其中第二氧化层与第一氧化层部分地重迭，且第一氧化层与第二氧化层包含一相同的氧化物；以及一半导体层，设置于第二氧化层上。本发明能在降低半导体装置的寄生效应及背侧偏压效应等的同时，亦可有效改善半导体装置的散热效果，进而可提升半导体装置的整体效能，例如，可进一步改善饱和区漏极电流(Idsat)及击穿电压的表现。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于世界先进积体电路股份有限公司，未经世界先进积体电路股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810913755.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
