[发明专利]在二维均匀栅格VCSEL阵列上创建任意图案有效
| 申请号： | 201810914530.5 | 申请日： | 2018-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN109428261B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 林劲翰;李卫平;范晓峰 | 申请（专利权）人： | 苹果公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/34 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 边海梅 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“在二维均匀栅格VCSEL阵列上创建任意图案”。本发明公开了一种光电设备，所述光电设备包括半导体基板和在半导体基板上形成的光电池阵列。光电池阵列包括第一外延层，所述第一外延层限定下分布式布拉格反射器(DBR)叠层；第二外延层，所述第二外延层在所述下DBR叠层上形成并限定量子阱结构；第三外延层，所述第三外延层在所述量子阱结构上形成并限定上DBR叠层；以及在上DBR叠层上形成的电极，所述电极可被配置为将激发电流注入到每个光电池的量子阱结构中。第一组光电池被配置为响应于激发电流而发射激光辐射。在与第一组交织的第二组光电池中，光电池的选自外延层和电极的至少一个元件被配置为使得第二组中的光电池不发射激光辐射。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 均匀 栅格 vcsel 阵列 创建 任意 图案 | ||
【主权项】：
1.一种光电设备，包括：半导体基板；和光电池阵列，所述阵列在所述半导体基板上形成并且包括：第一外延层，所述第一外延层限定下分布式布拉格反射器(DBR)叠层；第二外延层，所述第二外延层在所述下DBR叠层上形成并限定量子阱结构；第三外延层，所述第三外延层在所述量子阱结构上形成并限定上DBR叠层；和电极，所述电极在所述上DBR叠层上形成，所述电极可被配置为将激发电流注入到每个光电池的量子阱结构中，其中所述阵列包括第一组光电池和与所述第一组光电池交织的第二组光电池，所述第一组光电池被配置为响应于所述激发电流而发射激光辐射，其中所述光电池中选自所述外延层和所述电极的至少一个元件被配置为使得所述第二组中的所述光电池不发射所述激光辐射。
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