[发明专利]半导体装置的形成方法

摘要

本发明实施例一般关于形成连续的黏着层以用于接点插塞的技术。方法包括形成开口，其穿过介电层至基板上的主动区。方法包括沿着开口侧壁进行第一等离子体处理。方法包括进行原子层沉积工艺，以沿着开口侧壁形成金属氮化物层。原子层沉积工艺包括多个循环。每一循环包括使前驱物流入，以沿着开口侧壁形成金属单层，以及进行第二等离子体处理，以氮处理金属单层。方法包括沉积导电材料于开口中的金属氮化物层上，以形成导电结构。

主权项

1.一种半导体装置的形成方法，包括：形成一开口，穿过一介电层至一基板上的一主动区；沿着该开口的侧壁进行一第一等离子体处理；进行一原子层沉积工艺，以沿着该开口的侧壁形成一金属氮化物层，其中该原子层沉积工艺包括多个循环，且每一所述多个循环包括：使一前驱物流入以沿着该开口的侧壁形成一金属单层；以及进行一第二等离子体处理，以氮处理该金属单层；以及沉积一导电材料于该开口中的该金属氮化物层上，以形成一导电结构。