[发明专利]真空镀膜设备、方法及滤波器腔体膜层的制备方法在审

专利信息
申请号: 201810917305.7 申请日: 2018-08-13
公开(公告)号: CN110819964A 公开(公告)日: 2020-02-21
发明(设计)人: 邵聪;郑金桥;宋忠孝 申请(专利权)人: 中兴通讯股份有限公司
主分类号: C23C14/56 分类号: C23C14/56;C23C14/35;C23C14/16
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 洪铭福
地址: 518057 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种真空镀膜设备、方法及滤波器腔体膜层的制备方法。其中,设备包括:入口压差室、镀膜室、出口压差室;入口压差室设置有至少两条真空线;每条真空线包含至少两级依次连接的真空过渡室;至少两条真空线并联,且每条真空线的一端均与所述镀膜室的入口连接;与镀膜室的入口连接的真空过渡室的真空度能够达到所述镀膜室的真空度;镀膜室,设置有镀膜设备;出口压差室设置有至少两条真空线;每条真空线包含至少两级依次连接的真空过渡室;至少两条真空线并联,且每条真空线的一端均与所述镀膜室的出口连接;与镀膜室的出口连接的真空过渡室的真空度能够达到所述镀膜室的真空度;所述设备还包含用于传送用于镀膜的基底的传送装置。
搜索关键词: 真空镀膜 设备 方法 滤波器 腔体膜层 制备
【主权项】:
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