[发明专利]切割金属栅极的方法、半导体器件及其形成方法

摘要

一种形成半导体器件的方法包括形成栅极堆叠件，其中，栅极堆叠件包括栅极电介质和位于栅极电介质上方的金属栅电极。在栅极堆叠件的相对侧上形成层间电介质。平坦化栅极堆叠件和层间电介质。该方法还包括在栅极堆叠件上形成抑制膜，其中，暴露层间电介质的至少部分；在层间电介质上选择性地沉积介电硬掩模，其中，抑制膜防止在其上形成介电硬掩模；并且进行蚀刻以去除栅极堆叠件的部分，其中，介电硬掩模用作相应的蚀刻掩模的部分。本发明的实施例还提供了切割金属栅极的方法和半导体器件。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，包括：形成在多个半导体鳍上方延伸的伪栅极堆叠件；形成栅极间隔件，其中，所述伪栅极堆叠件位于所述栅极间隔件之间；形成接触蚀刻停止层和层间电介质，其中，所述伪栅极堆叠件和所述栅极间隔件位于所述接触蚀刻停止层和所述层间电介质中；用替换栅极堆叠件替换所述伪栅极堆叠件，其中，所述替换栅极堆叠件包括第一部分和第二部分，以及将所述第一部分连接至所述第二部分的第三部分；选择性地形成位于所述层间电介质上方并与所述层间电介质接触的介电硬掩模，其中，所述替换栅极堆叠件直接位于所述介电硬掩模的第一开口下方；蚀刻所述替换栅极堆叠件的第三部分以在所述栅极间隔件之间形成第二开口，其中，所述第二开口将所述替换栅极堆叠件的第一部分与所述替换栅极堆叠件的第二部分分离；以及将介电材料填充到所述第二开口中。