[发明专利]一种发光二极管外延片及其制作方法在审
| 申请号： | 201810918595.7 | 申请日： | 2018-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN109346579A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 葛永晖;郭炳磊;王群;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层，所述N型半导体层、所述有源层、所述P型半导体层和所述接触层依次层叠在所述衬底上，所述接触层包括依次层叠的P型欧姆接触层和N型欧姆接触层。本发明通过依次层叠P型欧姆接触层和N型欧姆接触层，P型欧姆接触层和N型欧姆接触层形成PN结，P型欧姆接触层和N型欧姆接触层变成空间电荷区，空间电荷区内存在可以横向移动的自由电荷，有利于通过电极注入接触层的电流在接触层内进行横向扩展，避免电流集中在电极与器件接触的地方而产生电流拥堵，减少器件的热效应。 | ||
| 搜索关键词： | 接触层 发光二极管外延 依次层叠 电极 衬底 源层 热效应 半导体技术领域 空间电荷区 电流集中 电流拥堵 横向扩展 空间电荷 自由电荷 制作 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层，所述N型半导体层、所述有源层、所述P型半导体层和所述接触层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述接触层包括依次层叠的P型欧姆接触层和N型欧姆接触层。
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