[发明专利]一种紫外雪崩光电二极管

摘要

本发明公布了一种紫外雪崩光电二极管，包括：n型SiC衬底、p⁺欧姆接触层、n^‑倍增层、n型电荷控制层、n^‑吸收层、n型过渡层、n⁺欧姆接触层、p触点电极、n触点电极。本发明主要是SiC紫外雪崩光电二极管存在的阵列雪崩增益一致性较差、有效填充因子量小的问题，通过采用穿通型和SACM的空穴以及改良电极的方法，调控增益斜率和填充因子。本发明提供一种量子效率高、紫外与可见光抑制比好、可提高有效填充因子、暗计数低的紫外雪崩光电二极管。

主权项

1.一种紫外雪崩光电二极管，其特征在于：包括：n型SiC衬底(1)、p+欧姆接触层(2)、n‑倍增层(3)、n型电荷控制层(4)、n‑吸收层(5)、n型过渡层(6)、n+欧姆接触层(7)、p触点电极(8)、n触点电极(9)，所述各层按照从下至上的顺序依次为n型SiC衬底(1)、p+欧姆接触层(2)、n‑倍增层(3)、n型电荷控制层(4)、n‑吸收层(5)、n型过渡层(6)、n+欧姆接触层(7)；所述p触点电极(8)位于p+欧姆接触层(2)上；所述n触点电极(9)位于n+欧姆接触层(7)上。