[发明专利]半导体结构切割工艺和由此形成的结构在审
| 申请号： | 201810920097.6 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN109841619A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 黄士文;林嘉慧;张智铭;陈哲明;郑凯鸿 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了切割鳍的方法和由此形成的结构。在实施例中，结构包括位于衬底上的第一鳍、位于衬底上的第二鳍以及设置在第一鳍和第二鳍之间的鳍切割填充结构。第一鳍和第二鳍纵向对准。鳍切割填充结构包括绝缘衬垫和位于绝缘衬垫上的填充材料。绝缘衬垫邻接第一鳍的第一侧壁和第二鳍的第二侧壁。绝缘衬垫包括带隙大于5eV的材料。本发明实施例涉及半导体结构切割工艺和由此形成的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘衬垫 切割 半导体结构 衬底 填充 第二侧壁 第一侧壁 结构描述 填充材料 纵向对准 邻接 带隙 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：第一鳍，位于衬底上；第二鳍，位于所述衬底上，所述第一鳍和所述第二鳍纵向对准；以及鳍切割填充结构，设置在所述第一鳍和所述第二鳍之间，所述鳍切割填充结构包括：绝缘衬垫，邻接所述第一鳍的第一侧壁和所述第二鳍的第二侧壁，所述绝缘衬垫包括带隙大于5eV的材料；和填充材料，位于所述绝缘衬垫上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
