[发明专利]一种低功耗的SAR ADC电容阵列及其开关切换方法在审
| 申请号： | 201810921810.9 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN108718197A | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 顾晓峰;刘康生;虞致国 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | H03M1/46 | 分类号： | H03M1/46 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214122 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路技术领域，涉及一种低功耗的SAR ADC电容阵列及其开关切换方法，包括P端高位拆分电容、P端次高位电容阵列、P端低位补偿电容和P端低位补偿电容，其上极板均接比较器正向输入VIP；N端高位拆分电容、N端次高位电容阵列、N端低位拆分电容和N端低位补偿电容的上极板接比较器反向输入VIN；P端高位拆分电容下极板接控制开关SMP1、SMP2，P端次高位电容阵列下极板接控制开关SPn‑3……SP1；N端高位拆分电容下极板接控制开关SMN1、SMN2，N端次高位电容阵列下极板接控制开关SNn‑3……SN1；本发明通过把高位电容拆分为两个与次位电容阵列中最高位电容容值相同的并联电容，显著降低了转换过程中差分电容阵列的功耗，具有高速、面积小和低功耗的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 电容阵列 电容 次高位 下极板 低位 补偿电容 低功耗 开关切换 比较器 上极板 集成电路技术 并联电容 差分电容 反向输入 转换过程 功耗 正向 | ||
【主权项】：
1.一种低功耗的SAR ADC电容阵列，其特征在于：包括P端高位拆分电容（1）、N端高位拆分电容（2）、P端次高位电容阵列（3）、N端次高位电容阵列（4）、P端低位补偿电容（5）和N端低位拆分电容（6）；所述P端高位拆分电容（1）、P端次高位电容阵列（3）和P端低位补偿电容（5）的上极板均通过开关KP连接比较器的正向输入VIP；所述N端高位拆分电容（2）、N端次高位电容阵列（4）和N端低位拆分电容（6）的上极板均通过开关KN连接比较器反向输入VIN；所述P端高位拆分电容（1）的下极板连接控制开关SMP1、SMP2，所述P端次高位电容阵列（3）的下极板连接控制开关SPn‑3……SP1；所述N端高位拆分电容（2）的下极板连接控制开关SMN1、SMN2，所述N端次高位电容阵列（4）的下极板连接控制开关SNn‑3……SN1；所述P端低位补偿电容（5）包括P端第一低位补偿电容和P端第二低位补偿电容，所述P端第一低位补偿电容的上极板通过开关SPa连接比较器的正向输入VIP，下极板接参考电压GND端，所述P端第二低位补偿电容上极板接比较器的正向输入VIP，下极板接参考电压VREF；所述N端低位补偿电容（6）包括N端第一低位补偿电容和N端第二低位补偿电容，所述N端第一低位补偿电容的上极板通过开关SNa连接比较器的反向输入VIN，下极板接参考电压GND端，所述N端第二低位补偿电容上极板接比较器的反向输入VIN，下极板接参考电压VREF。
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