[发明专利]具有多个细丝的RRAM存储器单元、存储器电路及其形成方法有效
| 申请号： | 201810921875.3 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN109427841B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 杨晋杰;张至扬;朱文定;廖钰文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;H10N70/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一些实施例中，本发明涉及一种存储器电路，其中，存储器电路具有布置在衬底上方的介电结构内的第一电阻式随机存取存储器(RRAM)元件和第二RRAM元件。第一RRAM元件具有通过第一数据存储层分离的第一分离电极和第一结合电极。第二RRAM元件具有通过第二数据存储层分离的第二分离电极和第二结合电极。控制器件设置在衬底内并具有连接至第一结合电极和第二结合电极的第一端子以及连接至字线的第二端子。本发明的实施例还提供了具有多个细丝的RRAM存储器单元、存储器电路的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 细丝 rram 存储器 单元 电路 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器电路，包括：第一电阻式随机存取存储器(RRAM)元件，布置在衬底上方的介电结构内并且具有通过第一数据存储层分离的第一分离电极和第一结合电极；第二电阻式随机存取存储器元件，布置在所述介电结构内并且具有通过第二数据存储层分离的第二分离电极和第二结合电极；以及控制器件，设置在所述衬底内并具有连接至所述第一结合电极和所述第二结合电极的第一端子和连接至字线的第二端子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810921875.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
