[发明专利]一种新的多晶镀膜异常片返工的方法

摘要

本发明涉及多晶镀膜领域。一种新的多晶镀膜异常片返工的方法，当硅片的膜厚度大于等于65纳米小于等于85纳米时，属于正常厚度膜硅片，不需要进行PSG去膜，当膜厚度小于65纳米或者大于等于85纳米时，属于异常厚度膜硅片即异常片，对异常片返工时，按照PSG去膜→镀膜→丝印步骤进行，PSG去膜为将异常片放在体积比为8%的氢氟酸中酸洗，使膜厚度变为1‑10纳米，然后进行水洗、烘干。本发明通过在PSG去膜时不完全去膜，且保留膜的厚度不影响后续镀膜，从而避免了PSG去膜时对硅片的直接损坏，也避免了后续碱洗相关步骤，节省了成本，提高了效益。

主权项

1.一种新的多晶镀膜异常片返工的方法，其特征在于：当硅片的膜厚度大于等于65纳米小于等于85纳米时，属于正常厚度膜硅片，不需要进行PSG去膜，当膜厚度小于65纳米或者大于等于85纳米时，属于异常厚度膜硅片即异常片，对异常片返工时，按照PSG去膜→镀膜→丝印步骤进行，PSG去膜为将异常片放在体积比为8%的氢氟酸中酸洗，使膜厚度变为1‑10纳米，然后进行水洗、烘干。