[发明专利]一种石墨烯薄膜及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201810923236.0 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN109023291B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 冯贺;田陆 | 申请（专利权）人： | 河北镭传科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王文君;陈征 |
| 地址： | 065201 河北省廊坊市三河市燕郊开发*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种石墨烯薄膜以及制备方法与应用，所述制备方法具体步骤如下：1)基底分别进行物理除杂和化学除杂；2)将除杂后的基底置于CVD系统中，进行退火处理；3)将退火处理后的基底置于惰性气氛中，通入气体状的碳源和氢气，进行石墨烯的生长；其中，所述碳源的流量为1～10sccm；所述碳源与所述氢气的流量比为1:5～100。本发明所述的制备方法可制得高质量的单层或少层石墨烯薄膜，且石墨烯薄膜的生长速度快，可大大降低生产成本，推动了石墨烯在显示屏、电子器件和MEMS传感器等领域的广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：1)基底依次进行物理除杂和化学除杂；2)将除杂后的基底置于CVD系统中，进行退火处理；3)将退火处理后的基底置于惰性气氛中，通入气体状的碳源和氢气，进行石墨烯的生长；其中，所述碳源的流量为1～10sccm；所述碳源与所述氢气的流量比为1:5～100。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
