[发明专利]电子存储器设备及用于存取存储器单元的方法有效
| 申请号： | 201810924300.7 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN109407816B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 永田亨一 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G06F1/3234 | 分类号： | G06F1/3234;G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及电子存储器设备及存取存储器单元的方法。根据本发明的存储器装置的感测组件可选择性地在所述感测组件的与相对较高电压信号(例如，与存取铁电随机存取存储器FeRAM单元相关联的信号)相关联的部分中采用具有相对高电压隔离特性的组件，且在所述感测组件的与相对较低电压信号(例如，根据一些存储器架构的输入/输出信号)相关联的部分中采用具有相对低电压隔离特性的组件。电压隔离特性可包含隔离电压、激活阈值电压、电绝缘程度以及其它，且可将此类特性称为标称值或阈值。在一些实例中，所述感测组件可包含晶体管，且所述电压隔离特性可至少部分地基于所述感测组件的每一部分中的所述晶体管的栅极绝缘厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 存储器 设备 用于 存取 单元 方法 | ||
【主权项】：
1.一种设备，其包括：存储器单元；输入/输出组件；及感测组件，其耦合于所述存储器单元与所述输入/输出组件之间，所述感测组件包括第一部分及第二部分，其中：所述第一部分耦合于所述存储器单元与所述第二部分之间且包括第一组晶体管，所述第一组晶体管中的每一晶体管具有第一电压隔离特性；且所述第二部分耦合于所述输入/输出组件与所述第一部分之间，且包括第二组晶体管，所述第二组晶体管中的每一晶体管具有不同于所述第一电压隔离特性的第二电压隔离特性。
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