[发明专利]一种高存储容量的三维键合传感器的结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种高存储容量的三维键合传感器及其制造方法，属于集成电路技术领域，包括：提供一第一晶圆结构和一第二晶圆结构，第一晶圆结构包括第一硅衬底、传感器的逻辑控制模块、SRAM模块、3D NAND的外围电路及3D NAND的存储单元阵列，逻辑控制模块、SRAM模块、3D NAND的外围电路及3D NAND的存储单元阵列集成于第一硅衬底同一侧，第二晶圆结构包括第二硅衬底及集成于第二硅衬底上的传感器的感应模块；第一晶圆结构与第二晶圆结构键合得到预处理传感器，对预处理传感器进行后续处理形成三维键合传感器。本发明的有益效果：仅需两片晶圆三维键合有利于提高良率；SRAM模块可代替三层堆叠CIS中的DRAM存储模块，额外的3D NAND模块可提供更高容量的数据存储功能。

主权项

1.一种高存储容量的三维键合传感器制造方法，其特征在于，包括：步骤S1、提供一第一晶圆结构和一第二晶圆结构，所述第一晶圆结构包括第一硅衬底、传感器的逻辑控制模块、SRAM模块以及3D NAND模块，所述逻辑控制模块、所述SRAM模块以及所述3D NAND模块集成于所述第一硅衬底的同一侧，所述第二晶圆结构包括第二硅衬底以及集成于所述第二硅衬底上的所述传感器的感应模块；步骤S2、通过将所述第一晶圆结构具有所述3D NAND模块的一侧与所述第二晶圆结构具有所述感应模块的一侧进行键合以得到预处理传感器，对所述预处理传感器进行后续处理以形成三维键合传感器。