[发明专利]光刻胶剥离设备及其剥离方法有效
申请号: | 201810927275.8 | 申请日: | 2018-08-15 |
公开(公告)号: | CN109254506B | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
发明(设计)人: | 孟祥国;李全波;陆连 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 焦天雷 |
地址: | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种光刻胶剥离设备,包括未剥离光刻胶的晶片自晶片盒送入第一传送模块,由第一传送模块送入光刻胶真空剥离腔,晶片在光刻胶真空剥离腔内实施光刻胶剥离,剥离光刻胶的晶片由第二传送模块输送第一传送模块再转至晶片盒存储;第一传送模块能平衡第二传送模块与外界气压,第二传送模块是非真空环境,第二传送模块内部压力与外界气压具有压差,第二传送模块能利用所述压差使保护气体吸入保护气体清洁晶片表面残留物和挥发物。本发明还公开了一种光刻胶剥离方法。本发明能有效降低晶圆表面的残留物和挥发物,减少有源区的硅损失,可延长后续湿法工艺的等待时间。 | ||
搜索关键词: | 光刻 剥离 设备 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光刻胶剥离设备,其特征在于,包括:光刻胶真空剥离腔、第一传送模块、第二传送模块和晶片盒;未剥离光刻胶的晶片自晶片盒送入第一传送模块,由第一传送模块送入光刻胶真空剥离腔,晶片在光刻胶真空剥离腔内实施光刻胶剥离,剥离光刻胶的晶片由第二传送模块输送第一传送模块再转至晶片盒存储;其中,第一传送模块能平衡第二传送模块与外界气压,第二传送模块是非真空环境,第二传送模块内部压力与外界气压具有压差,第二传送模块能利用所述压差使保护气体吸入保护气体清洁晶片表面残留物和挥发物。
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