[发明专利]一种功率器件及其制备方法在审
申请号: | 201810927767.7 | 申请日: | 2018-08-15 |
公开(公告)号: | CN109103153A | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
发明(设计)人: | 李龙;梅小杰;张泽清;吴建忠;杨东 | 申请(专利权)人: | 深圳市金誉半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/367;H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人: | 曹明兰 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华新区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种功率器件,包括芯片、设置在芯片相对两面上的基板及连接于所述芯片与所述基板的散热组件,芯片包括位于中间的有源区及位于有源区两侧的隔离区,隔离区上至少开设有两个沟槽,散热组件包括形成在沟槽内壁上的金属层及连接金属层的介质层和金属垫片,金属垫片与沟槽对应设置且与基板连接。本发明还公开了功率器件的制备方法,包括步骤:A、提供一个芯片及一对基板;B、在芯片的隔离区上至少开设两个沟槽;C、在沟槽的内壁形成金属层;D、在沟槽内填充介质层;E、在芯片正面和芯片背面制备与金属层连接的金属垫片,且使金属垫片与沟槽对应设置;F、在芯片正面及芯片背面的金属垫片上均连接基板。其能提高功率器件的散热效率。 | ||
搜索关键词: | 金属垫片 芯片 功率器件 隔离区 金属层 基板 制备 散热组件 芯片正面 介质层 源区 连接金属层 沟槽内壁 基板连接 连接基板 散热效率 芯片背面 内壁 填充 | ||
【主权项】:
1.一种功率器件,其特征在于:其包括芯片、设置在所述芯片相对两面上的基板及连接于所述芯片与所述基板的散热组件,所述芯片包括位于中间的有源区及位于有源区两侧的隔离区,所述隔离区上开设有至少两个沟槽,所述散热组件包括形成在所述沟槽内壁上的金属层、填充所述沟槽的介质层及金属垫片,所述金属垫片与所述沟槽对应设置且与所述基板连接。
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