[发明专利]一种晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201810927781.7 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN109087950A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 林河北;凌浩;谭丽娟;杜永琴 | 申请（专利权）人： | 深圳市金誉半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种新型半导体晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：衬底，所述衬底上设有一源区、一漏区以及连通所述源漏区的沟道区；一栅极结构，所述栅极结构是垂直结构，在晶体管开启时，源极的电子，顺着体内垂直多晶硅栅的两侧向漏极流动，从而实现其沟槽侧壁成为多条导电沟道的目的，本发明相比较传统的平面型晶体管结构具有更低的导通电阻，更高的电流驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 栅极结构 衬底 半导体技术领域 电流驱动能力 平面型晶体管 晶体管开启 新型半导体 垂直结构 导电沟道 导通电阻 多晶硅栅 沟槽侧壁 传统的 沟道区 源漏区 漏极 漏区 源极 源区 连通 垂直 体内 流动 制作 制造 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成阱区；在所述半导体衬底和阱区上表面形成氧化硅层；在所述阱区中形成沟槽；在所述沟槽内壁形成栅氧化层；在所述沟槽进行多晶硅填充形成所述栅极结构；在所述沟槽两侧形成位于所述阱区的源区与漏区。
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