[发明专利]功率芯片的封装结构及制作方法在审
| 申请号： | 201810927785.5 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN109037159A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 覃尚育;胡慧雄;梁伟泉;杨东 | 申请（专利权）人： | 深圳市金誉半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/367 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种功率芯片的封装结构及制作方法，所述方法具体为在功率芯片隔离区的衬底内刻蚀形成腔体，然后在所述腔体内形成导热层，接着在所述功率芯片下表面设置与所述导热层连接的金属层，所述金属层与基板连接。本发明所述功率芯片的封装结构可实现所述功率芯片表面的均匀散热，从而防止工作温度过高而导致芯片的可靠性降低，且其制作方法工艺简单，制造成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 功率芯片 封装结构 导热层 金属层 制作 基板连接 均匀散热 温度过高 制造成本 隔离区 下表面 衬底 刻蚀 腔体 体内 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种功率芯片的封装结构，其包括基板及设置在所述基板上的功率芯片，所述功率芯片包括衬底，其特征在于，所述功率芯片的封装结构还包括至少一个散热结构，所述散热结构设置于所述功率芯片的隔离区，所述散热结构包括形成在衬底内的腔体、附着在所述腔体内侧壁上的导热层及连接所述导热层与所述基板的金属层。
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