[发明专利]一种半导体辅助元件的制作方法和半导体辅助元件有效
| 申请号： | 201810930424.6 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN110838442B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 陈儒 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/71 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体辅助元件的制作方法，包括：获取若干个半导体辅助元件，对每一所述半导体辅助元件进行开槽，从而在所述半导体辅助元件的表面上形成若干个特定尺寸的应力释放槽；根据沉积法对所述应力释放槽填充应力释放材料，以使所述应力释放材料填满所述应力释放槽，形成应力释放层；在预设时间内对填充应力释放材料后的所述半导体辅助元件进行退火操作，以使所述应力释放层受热而流变，从而释放所述半导体辅助元件中的内应力；其中，所述退火操作的温度大于600℃。本发明实施例还公开了一种半导体辅助元件。采用本发明实施例，能有效减少辅助元件的内应力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 辅助 元件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
