[发明专利]测试MOS功率开关有效
| 申请号： | 201810930594.4 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN109425816B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | M·阿萨姆 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;董典红 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及测试MOS功率开关。讨论了与MOS开关晶体管的测试有关的方法和器件。例如，可以执行至少两种不同的测试测量，并且可以基于所述至少两种测试度量来确定故障状态。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 mos 功率 开关 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：对开关器件执行至少两种测试测量，所述开关器件包括至少一个开关晶体管，其中所述至少两种测试测量选自包括以下项的组中：确定所述至少一个开关晶体管的栅极电容的度量，确定所述至少一个开关晶体管的漏极‑源极电压的度量，确定所述至少一个开关晶体管的源极电压的度量，测试所述开关器件的分流电阻器，和确定所述分流电阻器两端的电压降的度量，以及基于所述至少两种测试测量来确定所述晶体管开关器件的故障状态。
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