[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管的制造方法，通过半透掩膜版同时形成薄光阻区、无光阻区和厚光阻区，通过控制半透掩膜版透过率，实现无光阻区的源漏极层金属和薄光阻区的光阻同时完成刻蚀，以减省薄光阻区光阻灰化工艺。采用干刻的方式对源漏极层金属进行刻蚀，可以将原有单边关键尺寸损失由2um降低到1um以下，有效解决了关键尺寸损失(CD Loss)较大的问题。由于薄光阻区光阻灰化工艺和无光阻区源漏极层金属刻蚀同时进行，节省了刻蚀工艺次数，提升了生产效率，且本发明对于半导体层靶材无特殊要求，降低了生产成本。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：第一步，在玻璃基板上形成栅极层，并且图案化形成位于像素区域内的栅极和与栅极连接的扫描线、以及位于端子区域内的栅极；第二步，在栅极层上形成栅极绝缘层；第三步，在栅极绝缘层上形成半导体层；第四步，在半导体层上形成源漏极层；第五步，在源漏极层上形成光阻层，采用半透掩膜版对光阻层进行曝光处理，半透掩膜版形成有光阻层覆盖的像素区域和有光阻层覆盖的端子区域以及无光阻层覆盖的端子区域；所述有光阻层覆盖的像素区域包括薄光阻层覆盖的像素区域和厚光阻层覆盖的像素区域；第六步，对无光阻层覆盖的端子区域的源漏极层和薄光阻层覆盖的像素区域同时进行干刻，使得薄光阻层覆盖的像素区域的光阻层和无光阻层覆盖的端子区域的源漏极层同时被刻完，无光阻层覆盖的端子区域露出半导体层，薄光阻覆盖的像素区域露出源漏极层；第七步，对无光阻层覆盖的端子区域露出半导体层进行湿刻；第八步，对薄光阻层覆盖的像素区域露出的源漏极层进行干刻；第九步，对厚光阻层覆盖的像素区域以及有光阻层覆盖的端子区域进行光阻层剥离。