[发明专利]一种用于抗反射有机硬掩模的组合物在审

专利信息
申请号: 201810933107.X 申请日: 2018-08-16
公开(公告)号: CN109188866A 公开(公告)日: 2019-01-11
发明(设计)人: 赵宰亨;崔敦洙 申请(专利权)人: 韩国高一智株式会社
主分类号: G03F7/09 分类号: G03F7/09
代理公司: 江苏楼沈律师事务所 32254 代理人: 吕欣
地址: 韩国忠清北道州忠*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种用于抗反射有机硬掩模的组合物,其特征在于:组合物包括含芳环的聚合物,该聚合物如式1所示:。本发明具有有用范围的折射率和吸收率,可以使刻胶和背面层之间的反射率最小化。
搜索关键词: 聚合物 抗反射 硬掩模 吸收率 背面层 反射率 折射率 最小化 芳环 胶和
【主权项】:
1.一种用于抗反射有机硬掩模的组合物,其特征在于:组合物包括含芳环的聚合物,该聚合物如式1所示:其中,Ar1为氢、氘、卤素基、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、取代或未取代C1~C30的烷基、取代或未取代C2~C30的链烯基、取代或未取代C2~C30的炔基、取代或未取代C1~C10的烷氧基、取代或未取代C3~C10的环烷基、取代或未取代C2~C10的杂环烷基、取代或未取代C6~C30的芳基、取代或未取代C2~C30的杂芳基、取代或未取代C6~C30的芳氧基、取代或未取代C6~C30的芳硫基;或它们的任意组合;X为单键、取代或未取代的C1~C20的亚烷基、取代或未取代的C6~C30的亚芳基或它们的任意组合;Y为具有至少一个羟基被取代的C1~C20的亚烷基、具有至少一个羟基被取代的C6~C30的亚芳基、具有至少一个羟基被取代的C2~C30的杂芳基或它们的任意组合;Z1~Z3的取值范围分别为Z1/(Z1+Z2+Z3)=0.05~0.45,Z2/(Z1+Z2+Z3)=0.5,Z3/(Z1+Z2+Z3)=0.05~0.45。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于韩国高一智株式会社,未经韩国高一智株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810933107.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top