[发明专利]反向导通IGBT

摘要

本发明涉及反向导通IGBT。一种功率半导体器件，其包括半导体主体、被布置在半导体主体的前侧的第一负载端子结构、以及被布置在半导体主体的后侧的第二负载端子结构，并且被配置用于借助于至少一个晶体管单元来控制在第一负载端子结构和第二负载端子结构之间的负载电流。所述晶体管单元至少部分地被包括在半导体主体中并且在一侧被电气连接到第一负载端子结构并且在另一侧被电气连接到半导体主体的漂移区，该漂移区具有第一导电类型。所述半导体主体还包括：具有第一导电类型的晶体管短区，其中在该晶体管短区和第一负载端子结构之间的过渡形成肖特基接触；以及分离区，其将该晶体管短区与漂移区分离并且具有与第一导电类型互补的第二导电类型。

主权项

1.一种功率半导体器件（1），其具有半导体主体（10）、被布置在半导体主体（10）的前侧（10‑1）的第一负载端子结构（11）、以及被布置在半导体主体（10）的后侧（10‑2）的第二负载端子结构（12），并且被配置用于借助于至少一个晶体管单元（130）来控制在第一负载端子结构（11）和第二负载端子结构（12）之间的负载电流，所述晶体管单元（130）至少部分地被包括在半导体主体（10）中并且在一侧被电气连接到第一负载端子结构（11）并且在另一侧被电气连接到半导体主体（10）的漂移区（100），所述漂移区（100）具有第一导电类型，其中所述半导体主体（10）进一步包括：‑ 具有第一导电类型的晶体管短区（107），其中在所述晶体管短区（107）与第一负载端子结构（11）之间的过渡形成肖特基接触（108）；以及‑ 分离区（109），所述分离区（109）使晶体管短区（107）与漂移区（100）分离并且具有与第一导电类型互补的第二导电类型。